Young說上興頭了，他有點停不下來，想把他對半導體的理解和國產半導體可替代的發展跟程鋼好好聊聊：
“接下來回到我們的主題，14 nm光刻機挑戰是什麽？”
“先談FinFET，FinFET是加州大學伯克利分校著名教授，胡正明教授最先提出的3D MOSFET器件結構。”
“3D MOSFET通過立體的結構實現了超越前代平麵晶體管的性能。11年 Intel率先將其商業化。但到了14 nm製程後， FinFET變得不再像以往可靠。”
“首先是逃不掉的量子效應，晶體管的電流很難提高了。甚至對於一些材料，電流會變低。對於芯片而言，電流意味著速度。”
“然後是漏電流，漏電流直接牽扯到功耗。在這麽小的節點，FinFET也很難控製漏電。”
“最後是成本，按照摩爾定律，隨著節點的減少，單個晶體管成本應該減少。”
“但到了14nm製程，繁雜的光刻流程，導致單個晶體管成本反而可能會上升。”
“中芯國際能搞定14nm製程，但是股價卻遲遲上不去是為什麽？”
“就是因為14nm製程太難了，中芯國際的良品率不夠高，算是半完成。”
程鋼點頭道：“難怪中芯國際不再單獨披露14nm和28nm工藝的營收占比情況，反而不斷擴產28nm。”
Young對程鋼的敏銳很滿意：“即便在宣稱14nm工藝量產後的這兩年裏，中芯國際還是把14nm和28nm的營收算在一起，現在甚至直接不公布營收占比情況了。”
（扒了中芯國際從2020年和2021年的財報，其營收最大來源是55/65nm製程，而14/28nm營收占比2020年一季度是7.8%，到了2021年一季度占比不增反降變成了6.9%）
注：這裏隻是說中芯國際的14nm不如預期，而不是說中芯國際沒搞出14nm工藝。
Young繼續道：“芯片代工的難度比光刻機要低的。”
“中芯國際14nm製程都如此困難，光刻機14nm隻會更加困難。”