【FBI突然出動，抓住了潛伏其內十年的臥底。】
【FBI抓住一名臥底，疑似華國人？】
【近日FBI抓住一名臥底，在庭審前日晚畏罪自殺】
【臥底自殺？還是另有原因！】
……
一條條相關的新聞，開始爭搶起了各種頭條。
這樣的新聞，不得不引起人們的注意，臥底？
還有臥底畏罪自殺？
對於這樣的消息，每個看到的人都感到震驚。
華國國內，在網絡上討論的人也很多，都不知道這個臥底是否真的是他們的人。
畢竟這些都隻是從國外傳出的消息，沒有人知道詳情。
而相比較這個政治上的事情，對於半導體界人來說，卻更加關注另外一條消息。
國外的製裁技術又加上了幾條，一條，準激光發射器。
這個東西，是光刻機光源中十分必要的一個部件。
其主要就是利用二氧化碳激光器發射出極高能的激光，輸出超過30kW平均功率的激光束，脈衝峰值最高可達幾兆瓦，然後如此高能的激光，擊打在不斷從上方滴下的錫珠上，然後使其發射出波長為13.5nm的極紫外光。
而想要在二氧化碳激光器上實現如此高的功率，普通的技術完全行不通，而華國當前的二氧化碳激光器在功率上並不能達到這種要求，而需要知道的是，這個功率，最終影響的就是EUV光源的實際功率。
如果EUV光源沒有足夠大的功率，對他們的影響，十分之大。
此外，還有其他幾種EUV光源中較為重要的傳感器也遭到了製裁。
這樣一來，他們再想要研發光刻機，就必須先在這些方麵實現突破，否則光源搞不出來，全部都白搭。
一時之間，華國半導體界，又掀起了一片唱衰的聲音。
要是繼續一個一個地搞下去，他們得花多少時間？
到時候國外說不定早就找到了能夠突破現有光刻機的技術了。