MOSFET可以說是最常見的晶體管，幾乎不需要通過輸入電流來控製負載電流。
MOSFET多種多樣，但是基本都能夠分成兩類，增強型和耗盡型。
然後這兩種類型可以用作n溝道或者p溝道。
MOSFET是平麵晶體管，而胡正明發明的FinFET架構則是3D的晶體管，3D晶體管能夠克服晶體管本身可能遭遇的短溝道效應。
簡單來說FinFET能以更低的成本實現更高的性能指標。finFET的設計主要為突破25nm製程，解決mosFET由於製程縮小伴隨的隧穿效應。
當然從FinFET這個架構2000年被胡正明提出，到2001年胡正明加入台積電作為首席專家，台積電在2002年12月才拿出第一個真正意義上的FinFET晶體管。
而一直到了2012年商用22nm的FinFET架構的晶體管才麵世。
這是一個非常漫長的過程。
周新要講的是MOSFET架構的某一種優化。
帶有些許的FinFET架構思想在其中。
但是順著這條路去思考，反而會走上彎路。
“……我們可以發現當一端沒有電壓時，通道會顯示最大電導。當兩端電壓同為正或同為負的時候，通道的電導率會降低。
我們嚐試關閉不導通的區域，讓MOSFET在該區域工作的時候，把歐姆區作為放大器。
在飽和區MOSFET的I DS是恒定的，盡管V DS增加並且一旦V DS超過夾斷電壓V P的值就會發生。
在這種情況下，該設備將像一個閉合的開關一樣工作，飽和的I DS值流過該開關。
因此，無論何時需要MOSFET執行開關操作，都會選擇該工作區域……
這樣一來我們就能夠讓MOSFET在較低電壓下以更高效率運行。”
周新的論文講完後台下響起了禮貌的掌聲。
因為周新的內容是純粹的模型，也就是從理論層麵講述一個更加優秀的MOSFET架構，而缺乏實驗數據。
很多東西模型設計的很完美，不代表在實驗室複刻出來真的有這麽完美。